| 2N7002BK,215 | | | | 品牌: Nexperia USA Inc. 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF 10 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: 150°C(TJ) |
| 2N7002BK,215 | | | | 品牌: Nexperia USA Inc. 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF 10 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: 150°C(TJ) |
| 2N7002BK,215 | | | | 品牌: Nexperia USA Inc. 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF 10 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: 150°C(TJ) |
| 2N7002BK,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 未分类 | | | Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: - Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V |
| 2N7002BK,215 | | | | 品牌: Nexperia USA Inc. 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF 10 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: 150°C(TJ) |
| 2N7002BK,215 | | | | 品牌: Nexperia USA Inc. 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 350mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50 pF 10 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 370mW(Ta) 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-236AB 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: 150°C(TJ) |