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	2N7002P,215 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：360mA 功率(Pd)：350mW 下载数据手册未分类	+1：￥0.188539 +10：￥0.179807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.136798 +50：￥0.126204 +200：￥0.117384 +600：￥0.108552 +1500：￥0.101496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOS场效应管 2N7002P,215 LW SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.315568 +100：￥0.213323 +800：￥0.156574 +3000：￥0.113498 +6000：￥0.107811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.153065 +100：￥0.134068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册未分类	+3000：￥0.245053 +12000：￥0.234829 +30000：￥0.227978 +75000：￥0.221127 +120000：￥0.211641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002P,215 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	2N7002P,215 NXP/NEXPERIA 下载数据手册未分类	+15000：￥0.171906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册未分类	+3000：￥0.175406 +12000：￥0.17373 +45000：￥0.172165 +75000：￥0.17049 +150000：￥0.168926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥0.350347 +150：￥0.242945 +1500：￥0.205423 +3000：￥0.176966 +18000：￥0.173066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.236503 +200：￥0.191009 +500：￥0.162878 +3000：￥0.137873 +9000：￥0.122245	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.235959 +6000：￥0.213446 +9000：￥0.20175 +15000：￥0.188618 +21000：￥0.180737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002P,215参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	360mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册未分类	+3000：￥0.245053 +12000：￥0.234829 +30000：￥0.227978 +75000：￥0.221127 +120000：￥0.211641	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002P,215 NXP(恩智浦) 授权代理品牌	2N7002P,215 NXP/NEXPERIA 下载数据手册未分类	+15000：￥0.171906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册未分类	+3000：￥0.175406 +12000：￥0.17373 +45000：￥0.172165 +75000：￥0.17049 +150000：￥0.168926	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥0.350347 +150：￥0.242945 +1500：￥0.205423 +3000：￥0.176966 +18000：￥0.173066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002P,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.236503 +200：￥0.191009 +500：￥0.162878 +3000：￥0.137873 +9000：￥0.122245	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）