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	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.139223 +200：￥0.130063 +500：￥0.120903 +1000：￥0.111744 +3000：￥0.10717	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOS场效应管 2N7002,215 12 SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.425808 +100：￥0.364464 +300：￥0.241344 +800：￥0.199008 +3000：￥0.111024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.145656 +200：￥0.113047 +600：￥0.098553 +3000：￥0.087685 +9000：￥0.083336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

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	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.185009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册	+1：￥0.524966 +100：￥0.3888 +1000：￥0.288058 +1500：￥0.236045 +3000：￥0.208915	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.342671 +6000：￥0.317865 +9000：￥0.263566 +30000：￥0.25895 +75000：￥0.232557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.592134 +6000：￥0.54927 +9000：￥0.455441 +30000：￥0.447466 +75000：￥0.401858	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）
2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.489001 +10：￥2.41738 +100：￥1.178785 +500：￥0.983401 +1000：￥0.683222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchMOS™ 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.489001 +10：￥2.41738 +100：￥1.178785 +500：￥0.983401 +1000：￥0.683222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchMOS™ 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB

Mouser

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	2N7002,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥4.119142 +10：￥2.804186 +100：￥1.219901 +1000：￥0.776302 +3000：￥0.586187	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 830mW（Ta）工作温度： -65°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -65°C # 150°C（TJ）

2N7002,215参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	830mW（Ta）
工作温度:	-65°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-65°C # 150°C（TJ）