品牌： Nexperia USA Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 450mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DFN1006B-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Nexperia USA Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 450mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DFN1006B-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Nexperia USA Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 450mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DFN1006B-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Nexperia USA Inc.

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 450mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DFN1006B-3

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 3-XFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 450mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.6Ohm @ 450mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 360mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 250µA

Supplier Device Package： DFN1006B-3

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.6 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50 pF @ 10 V