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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3019-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.273076 +100：￥0.210058	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TA）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3019-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.331229 +6000：￥0.307248 +9000：￥0.254774 +30000：￥0.250322 +75000：￥0.224797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TA）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2SK3019-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.810275 +6000：￥0.751609 +9000：￥0.623243 +30000：￥0.612354 +75000：￥0.549912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TA）
2SK3019-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.791944 +10：￥3.310799 +100：￥1.613288 +500：￥1.345521 +1000：￥0.93501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TA) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523
2SK3019-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.791944 +10：￥3.310799 +100：￥1.613288 +500：￥1.345521 +1000：￥0.93501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TA) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3019-TP Micro Commercial 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 下载数据手册晶体管	+1：￥5.477886 +10：￥3.784721 +100：￥1.543769 +1000：￥1.078979 +3000：￥0.796785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TA）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3019-TP 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.728174	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SK3019-TP参数规格

属性	参数值
品牌:	Micro Commercial Co
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 欧姆 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TA）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TA）