2SK3018-TP厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 2SK3018-TP 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP Micro Commercial 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.262385 +20：￥0.239232 +100：￥0.21608 +500：￥0.192938 +1000：￥0.182133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP 美微科(MCC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) 2SK3018-TP SOT-323 下载数据手册未分类	+20：￥0.588665 +100：￥0.39809 +800：￥0.292215 +3000：￥0.21175 +6000：￥0.201223	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.213444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.222915 +200：￥0.4076 +1500：￥0.255141 +3000：￥0.175844 +45000：￥0.174222	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.43378 +6000：￥0.414681 +9000：￥0.35867 +30000：￥0.351953 +75000：￥0.291387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.06114 +6000：￥1.014419 +9000：￥0.877402 +30000：￥0.860971 +75000：￥0.712809	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C
2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.857912 +10：￥4.129114 +100：￥2.083131 +500：￥1.699938 +1000：￥1.261166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323
2SK3018-TP Micro Commercial(美微科) 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.857912 +10：￥4.129114 +100：￥2.083131 +500：￥1.699938 +1000：￥1.261166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK3018-TP Micro Commercial 授权代理品牌	N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 下载数据手册晶体管	+1：￥6.696472 +10：￥4.720197 +100：￥1.943612 +1000：￥1.453626 +3000：￥1.159633	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Micro Commercial Co 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C

2SK3018-TP参数规格

属性	参数值
品牌:	Micro Commercial Co
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 欧姆 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C