搜索 2N7002K-T1-E3 共 15 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2N7002K-T1-E3 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 | +5: ¥0.530423 +50: ¥0.436195 +150: ¥0.389079 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2N7002K-T1-E3 授权代理品牌 | +3000: ¥0.361312 +9000: ¥0.357961 +15000: ¥0.35472 +60000: ¥0.351369 +90000: ¥0.348017 | ||||
2N7002K-T1-E3 授权代理品牌 | 1+: | ||||
2N7002K-T1-E3 授权代理品牌 | +50: ¥0.240786 +100: ¥0.236851 +500: ¥0.22701 +3000: ¥0.223075 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2N7002K-T1-E3 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
2N7002K-T1-E3参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | TrenchFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2 欧姆 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.6 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 30 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 350mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |