锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 2SB1132T100P7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SB1132T100P_双极性晶体管
2SB1132T100P
授权代理品牌
+1:

¥2.313194

+200:

¥0.923026

+500:

¥0.892212

+1000:

¥0.876913

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 100mA,3V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SB1132T100P_双极性晶体管
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 100mA,3V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SB1132T100P_双极性晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 100mA,3V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SB1132T100P_未分类
2SB1132T100P
授权代理品牌

TRANS PNP 32V 1A MPT3

未分类

+1000:

¥1.991675

+2000:

¥1.78053

+5000:

¥1.689898

+10000:

¥1.569263

+25000:

¥1.533034

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-243AA

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V

Frequency - Transition: 150MHz

Supplier Device Package: MPT3

Current - Collector (Ic) (Max): 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V

Power - Max: 2 W

2SB1132T100P_未分类
2SB1132T100P
授权代理品牌

TRANS PNP 32V 1A MPT3

未分类

+1:

¥5.228797

+10:

¥4.519174

+100:

¥3.138523

+500:

¥2.450315

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-243AA

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V

Frequency - Transition: 150MHz

Supplier Device Package: MPT3

Current - Collector (Ic) (Max): 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V

Power - Max: 2 W

2SB1132T100P_未分类
2SB1132T100P
授权代理品牌

TRANS PNP 32V 1A MPT3

未分类

+1:

¥5.228797

+10:

¥4.519174

+100:

¥3.138523

+500:

¥2.450315

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-243AA

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA

Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V

Frequency - Transition: 150MHz

Supplier Device Package: MPT3

Current - Collector (Ic) (Max): 1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V

Power - Max: 2 W

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SB1132T100P_晶体管
2SB1132T100P
授权代理品牌

TRANS PNP 32V 1A SOT-89

晶体管

+1000:

¥2.532566

+2000:

¥2.136854

+10000:

¥1.994396

+25000:

¥1.946911

+50000:

¥1.899426

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 100mA,3V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 150MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SB1132T100P参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 100mA,3V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C(TJ)