搜索 2SJ168TE85LF 共 11 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SJ168TE85LF 授权代理品牌 | +1: ¥4.589453 +200: ¥1.781145 +500: ¥1.715581 +1000: ¥1.6828 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SJ168TE85LF 授权代理品牌 | +100: ¥6.836886 +500: ¥5.404934 +1000: ¥4.328259 +3000: ¥3.908292 +6000: ¥3.553013 | ||||
2SJ168TE85LF 授权代理品牌 | 1+: | ||||
2SJ168TE85LF 授权代理品牌 | 1+: |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SJ168TE85LF 授权代理品牌 | 1+: |
自营 国内现货
Digi-Key
2SJ168TE85LF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2欧姆 50mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 85 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 200mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-59 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | 150°C(TJ) |