搜索 2SA1955FVBTPL3Z 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | +8000： ￥0.79511 | |||
 | 授权代理品牌 | +1： ￥1.482722 +10： ￥1.247958 +25： ￥1.171351 +100： ￥1.060147 +250： ￥0.99293 | 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VESM | ||
 | 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VESM |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 2SA1955FVBTPL3Z 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
2SA1955FVBTPL3Z参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 400 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 12 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV 10mA，200mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 300 10mA，2V |
| 功率 - 最大值: | 100 mW |
| 频率 - 跃迁: | 130MHz |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-723 |
| 供应商器件封装: | VESM |
| 温度: | 150°C（TJ） |