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	2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.456775 +50：￥0.420475 +200：￥0.390225 +600：￥0.359975 +1500：￥0.335775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.842256 +100：￥0.709056 +300：￥0.461088 +800：￥0.38016 +3000：￥0.250848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.18029	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册未分类	+13340：￥0.185925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002T-7-F VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+60：￥0.329267 +3000：￥0.307871 +9000：￥0.29986 +15000：￥0.291851 +81000：￥0.2811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册未分类	+1：￥0.293748 +150：￥0.207109 +1500：￥0.173276 +3000：￥0.149351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.141431 +9000：￥0.135056 +15000：￥0.132463 +30000：￥0.128574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.291722 +150：￥0.205718 +1500：￥0.174708 +3000：￥0.150399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.202468 +9000：￥0.197375 +30000：￥0.194018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.518621 +6000：￥0.495834 +9000：￥0.428844 +30000：￥0.420767 +75000：￥0.34844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002T-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	115mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册未分类	+13340：￥0.185925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	2N7002T-7-F VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+60：￥0.329267 +3000：￥0.307871 +9000：￥0.29986 +15000：￥0.291851 +81000：￥0.2811	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册未分类	+1：￥0.293748 +150：￥0.207109 +1500：￥0.173276 +3000：￥0.149351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.141431 +9000：￥0.135056 +15000：￥0.132463 +30000：￥0.128574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N7002T-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.291722 +150：￥0.205718 +1500：￥0.174708 +3000：￥0.150399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
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