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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.138368 +30：￥1.097712 +100：￥1.057056 +500：￥0.975744 +1000：￥0.935088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOS场效应管 2N7002CK,215 LP SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.670768 +100：￥1.906272 +200：￥1.45728 +500：￥1.249056 +800：￥1.134144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册	+1：￥0.352083 +10：￥0.280228 +30：￥0.244302 +100：￥0.217356 +500：￥0.1958	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.438746 +100：￥0.408012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.419377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.724682	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.077486	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
2N7002CK,215 Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.281238 +200：￥0.215473 +600：￥0.203393 +2000：￥0.191315 +10000：￥0.185947	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002CK,215 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.477091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2N7002CK,215参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	55 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）