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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥3.981989	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 20mA，10V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册未分类	+500：￥1.911795 +1000：￥1.436423 +3000：￥1.225243 +9000：￥1.151249 +24000：￥1.017497	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 20mA，10V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.652208 +6000：￥0.625127 +9000：￥0.562597 +30000：￥0.554228 +75000：￥0.520929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 20mA，10V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥1.595471 +6000：￥1.529226 +9000：￥1.376261 +30000：￥1.355789 +75000：￥1.274331	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 20mA，10V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 150°C（TJ）
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.935162 +10：￥5.151834 +30：￥4.821589 +100：￥4.507855 +500：￥4.359244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.935162 +10：￥5.151834 +30：￥4.821589 +100：￥4.507855 +500：￥4.359244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1721OTE85LF Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.825443 +10：￥5.476606 +100：￥3.737744 +1000：￥2.112638 +3000：￥1.803868	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 300 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 20mA，10V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： S-Mini 温度： 150°C（TJ）

2SA1721OTE85LF参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	300 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 2mA，20mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 20mA，10V
功率 - 最大值:	150 mW
频率 - 跃迁:	50MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	S-Mini
温度:	150°C（TJ）