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搜索 2SC5085-Y(TE85L,F)7 条相关记录
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2SC5085-Y(TE85L,F)_晶体管射频
2SC5085-Y(TE85L,F)
授权代理品牌

RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

晶体管射频

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¥2.519136

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¥1.506672

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¥1.288368

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz

增益: 11dB # 16.5dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

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RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

晶体管射频

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国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz

增益: 11dB # 16.5dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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晶体管射频

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品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz

增益: 11dB # 16.5dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM

晶体管射频

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货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 最后售卖

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz

增益: 11dB # 16.5dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

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晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz

增益: 11dB # 16.5dB

功率 - 最大值: 100mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

2SC5085-Y(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 最后售卖
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
频率 - 跃迁: 7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.1dB 1GHz
增益: 11dB # 16.5dB
功率 - 最大值: 100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SC-70
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