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2SD2656T106_双极性晶体管
2SD2656T106
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SD2656T106_双极性晶体管
2SD2656T106
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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2SD2656T106_双极性晶体管
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SD2656T106_null
2SD2656T106
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TRANS NPN 30V 1A UMT3

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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2SD2656T106_双极性晶体管
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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

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封装/外壳: SC-70, SOT-323

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Mouser
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2SD2656T106_未分类
2SD2656T106
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未分类

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

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工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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2SD2656T106参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
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零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 400MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: 150°C(TJ)