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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC5087-O(TE85L,F)_晶体管射频
授权代理品牌

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

晶体管射频

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¥3.683562

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¥2.895846

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¥2.534574

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¥2.223737

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB # 1.1dB 500MHz # 1GHz

增益: -

功率 - 最大值: 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-61AA

供应商器件封装: SMQ

温度: 125°C(TJ)

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授权代理品牌

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

晶体管射频

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系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-61AA

供应商器件封装: SMQ

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC5087-O(TE85L,F)_晶体管
2SC5087-O(TE85L,F)
授权代理品牌

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电压 - 集射极击穿(最大值): 12V

频率 - 跃迁: 7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB # 1.1dB 500MHz # 1GHz

增益: -

功率 - 最大值: 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 20mA,10V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-61AA

供应商器件封装: SMQ

温度: 125°C(TJ)

2SC5087-O(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
频率 - 跃迁: 7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1dB # 1.1dB 500MHz # 1GHz
增益: -
功率 - 最大值: 150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 20mA,10V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80mA
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-61AA
供应商器件封装: SMQ
温度: 125°C(TJ)