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2SD1383KT146B_双极性晶体管
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TRANS NPN DARL 32V 0.3A SMT3

双极性晶体管

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¥1.567918

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¥1.060323

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¥0.778272

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¥0.563981

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¥0.535788

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SD1383KT146B_未分类
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TRANS NPN DARL 32V 0.3A SMT3

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¥0.627816

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

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2SD1383KT146B_双极性晶体管
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

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2SD1383KT146B_未分类
2SD1383KT146B
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TRANS NPN DARL 32V 0.3A SMT3

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¥1.114173

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电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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双极性晶体管

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

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封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

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晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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¥0.894689

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¥0.849208

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¥0.788567

+30000:

¥0.770375

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¥0.750725

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

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封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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¥2.077386

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¥1.929043

+30000:

¥1.884539

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¥1.836471

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 250MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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¥6.561369

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¥5.548636

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¥3.858371

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¥3.012239

+1000:

¥2.448389

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2SD1383KT146B参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 32 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 400µA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 5000 100mA,5V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3
温度: 150°C(TJ)