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2N2222AE4_双极性晶体管
2N2222AE4
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

双极性晶体管

+1:

¥70.426255

+200:

¥28.104938

+500:

¥27.165193

+1000:

¥26.706248

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-18(TO-206AA)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Digi-Key
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2N2222AE4_双极性晶体管

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

双极性晶体管

+223:

¥56.451965

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-18(TO-206AA)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Mouser
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2N2222Ae4_未分类
2N2222Ae4
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

未分类

+1:

¥65.999916

+100:

¥61.190876

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-18(TO-206AA)

温度: -65°C # 200°C(TJ)

艾睿
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2N2222AE4_未分类
2N2222AE4
授权代理品牌

NPN Switching Transistor

未分类

+223:

¥42.491119

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2N2222AE4参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 150mA,10V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装: TO-18(TO-206AA)
温度: -65°C # 200°C(TJ)