搜索 2SD2257,Q(J 共 1 条相关记录
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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | 1+: |
2SD2257,Q(J参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 3 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 100 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 1.5V 1.5mA，1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 10µA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 2000 2A，2V |
| 功率 - 最大值: | 2 W |
| 频率 - 跃迁: | - |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装: | TO-220NIS |
| 温度: | 150°C（TJ） |