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2SD1221-Y(Q)参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 散装 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
晶体管类型: | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 3 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 60 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 1V 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 100µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 100 500mA,5V |
功率 - 最大值: | 1 W |
频率 - 跃迁: | 3MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装: | PW-MOLD |
温度: | 150°C(TJ) |