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自营 现货库存
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2SCR573D3TL1_双极性晶体管
授权代理品牌

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

双极性晶体管

+1:

¥2.588596

+10:

¥2.143018

+30:

¥1.941447

+100:

¥1.708049

+500:

¥1.601959

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

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2SCR573D3TL1_双极性晶体管
授权代理品牌

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

双极性晶体管

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¥4.280738

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SCR573D3TL1_双极性晶体管
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POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

双极性晶体管

+2500:

¥2.502742

+5000:

¥2.383551

+12500:

¥2.273544

+25000:

¥2.269205

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2SCR573D3TL1_双极性晶体管
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POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

双极性晶体管

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¥4.32473

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¥4.118768

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¥3.928676

+25000:

¥3.921179

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

2SCR573D3TL1_双极性晶体管
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POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

双极性晶体管

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¥10.498132

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¥8.548478

+100:

¥6.653816

+500:

¥5.639496

+1000:

¥4.594057

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

2SCR573D3TL1_双极性晶体管
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双极性晶体管

+1:

¥10.498132

+10:

¥8.548478

+100:

¥6.653816

+500:

¥5.639496

+1000:

¥4.594057

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

Mouser
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2SCR573D3TL1_晶体管
2SCR573D3TL1
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POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

晶体管

+1:

¥13.45968

+10:

¥10.960024

+100:

¥8.540489

+500:

¥7.242591

+1000:

¥5.896622

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

2SCR573D3TL1参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V
功率 - 最大值: 10 W
频率 - 跃迁: 320MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
温度: 150°C(TJ)