锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 2SB1260T100Q 共 9 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+100：

￥1.627087

+300：

￥1.216897

+500：

￥0.943437

+1000：

￥0.68365

+2000：

￥0.649528

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+5：

￥1.190089

+50：

￥1.047816

+150：

￥0.986733

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1000：

￥0.627896

+3000：

￥0.617478

+5000：

￥0.606943

+30000：

￥0.596524

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1000：

￥1.18465

+2000：

￥1.059025

+5000：

￥1.005185

+10000：

￥0.933398

+25000：

￥0.911839

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1000：

￥2.897968

+2000：

￥2.590654

+5000：

￥2.458948

+10000：

￥2.28334

+25000：

￥2.230599

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1：

￥7.697126

+10：

￥6.571065

+100：

￥4.566962

+500：

￥3.565481

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

2SB1260T100Q_双极性晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌
+1：

￥7.697126

+10：

￥6.571065

+100：

￥4.566962

+500：

￥3.565481

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_晶体管
2SB1260T100Q
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

TRANS PNP 80V 1A SO-89

下载数据手册

晶体管
+1000：

￥3.631654

+2000：

￥2.935173

+10000：

￥2.769344

+25000：

￥2.553767

+50000：

￥2.520601

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SB1260T100Q_未分类
2SB1260T100Q
ROHM(罗姆)
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

未分类
+313：

￥2.364886

+500：

￥2.279078

+1000：

￥2.20553

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

2SB1260T100Q参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 400mV 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 120 100mA，3V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C（TJ）