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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册双极性晶体管	+20：￥1.194875 +100：￥0.807433 +500：￥0.591811 +1000：￥0.431123 +2000：￥0.409464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册未分类	+5：￥0.546364 +50：￥0.437091 +150：￥0.382454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.907016 +100：￥0.786137	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册	+1000：￥1.105056	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥0.661305 +2000：￥0.608842 +5000：￥0.583514 +10000：￥0.525158 +25000：￥0.517396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥2.133856 +2000：￥1.91952 +3000：￥1.809983 +5000：￥1.686981 +7000：￥1.61416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥8.108277 +10：￥5.002654 +100：￥3.175997 +500：￥2.388423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥8.108277 +10：￥5.002654 +100：￥3.175997 +500：￥2.388423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 下载数据手册晶体管	+1：￥8.623105 +10：￥5.32311 +100：￥2.603515 +1000：￥2.238691 +2000：￥1.724622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 350mV 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 270 100mA，2V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 320MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR293P5T100 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R 下载数据手册未分类	+342：￥0.897604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SCR293P5T100参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	350mV 25mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	270 100mA，2V
功率 - 最大值:	500 mW
频率 - 跃迁:	320MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-243AA
供应商器件封装:	MPT3
温度:	150°C（TJ）