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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC4213BTE85LF_null
2SC4213BTE85LF
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 0.3A USM

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¥1.060517

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¥0.891674

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¥0.807251

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¥0.743935

+500:

¥0.693283

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: USM

温度: 125°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC4213BTE85LF_双极性晶体管
授权代理品牌
+1:

¥1.420661

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: USM

温度: 125°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC4213BTE85LF_双极性晶体管
2SC4213BTE85LF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: USM

温度: 125°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC4213BTE85LF_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥0.558406

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¥0.533905

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¥0.461756

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¥0.375177

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: USM

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
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2SC4213BTE85LF_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥0.964925

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¥0.922586

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¥0.797912

+30000:

¥0.782976

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¥0.648304

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: USM

温度: 125°C(TJ)

2SC4213BTE85LF_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥5.307888

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¥3.752555

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¥1.545954

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¥1.147

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

2SC4213BTE85LF_双极性晶体管
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¥5.307888

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

Mouser
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2SC4213BTE85LF_晶体管
2SC4213BTE85LF
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 0.3A USM

晶体管

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¥6.434661

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¥4.78676

+100:

¥1.914704

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¥1.45957

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¥1.12999

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: USM

温度: 125°C(TJ)

2SC4213BTE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V
功率 - 最大值: 100 mW
频率 - 跃迁: 30MHz
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: USM
温度: 125°C(TJ)