品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 1A，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AA，TO-5-3 金属罐

供应商器件封装： TO-5

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 1A，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AA，TO-5-3 金属罐

供应商器件封装： TO-5

温度： -65°C # 200°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C ~ 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 500mV @ 200mA, 2A

Current - Collector Cutoff (Max)： 500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 1A, 2V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-39

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 1 W

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 1A，2V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AA，TO-5-3 金属罐

供应商器件封装： TO-5

温度： -65°C # 200°C（TJ）