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2SA1298-Y,LF_null
2SA1298-Y,LF
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

+5:

¥1.10585

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¥0.94605

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¥0.86615

+500:

¥0.806224

+3000:

¥0.758285

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

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2SA1298-Y,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

双极性晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

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2SA1298-Y,LF_双极性晶体管
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TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

双极性晶体管

+1:

¥3.424484

+10:

¥2.612409

+30:

¥2.463303

+100:

¥2.314198

+500:

¥2.247818

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

2SA1298-Y,LF_双极性晶体管
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TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

双极性晶体管

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¥3.424484

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

Mouser
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2SA1298-Y,LF_晶体管
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TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 120MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

2SA1298-Y,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 100mA,1V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 120MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: 150°C(TJ)