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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3637 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	NPN POWER SILICON TRANSISTORS 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥78.483533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： - 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： - 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3637 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	NPN POWER SILICON TRANSISTORS 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥191.991516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： - 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： - 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -
	2N3637 Solid State 授权代理品牌	TRANS PNP TO39 下载数据手册未分类	+20：￥8.822516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type： Through Hole Transistor Type： PNP Operating Temperature： - Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： - Current - Collector Cutoff (Max)： - DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： - Frequency - Transition： - Supplier Device Package： TO-39 Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3637 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	NPN POWER SILICON TRANSISTORS 下载数据手册未分类	+1：￥198.331564	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： - 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： - 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： - 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： - 功率 - 最大值： - 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3637 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag 下载数据手册未分类	+1：￥187.205079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2N3637参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	-
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	-
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	-
功率 - 最大值:	-
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-
温度:	-