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2SD1980TL_未分类
2SD1980TL
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

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¥4.418959

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¥3.292137

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: CPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SD1980TL
授权代理品牌

TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

未分类

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¥2.922785

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¥2.699115

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: CPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SD1980TL
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

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¥17.67865

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¥6.355066

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: CPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SD1980TL_双极性晶体管
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

双极性晶体管

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¥2.262638

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¥2.15488

+12500:

¥2.055415

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¥2.051501

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: CPT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2SD1980TL_双极性晶体管
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

双极性晶体管

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¥6.145768

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¥5.698742

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¥5.470945

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: CPT3

温度: 150°C(TJ)

2SD1980TL_双极性晶体管
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

双极性晶体管

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¥22.947953

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¥14.45721

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¥9.613662

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¥7.537639

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¥6.869241

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: CPT3

2SD1980TL_双极性晶体管
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

双极性晶体管

+1:

¥22.947953

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¥14.45721

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¥9.613662

+500:

¥7.537639

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¥6.869241

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: CPT3

Mouser
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TRANS NPN DARL 100V 2A CPT3

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¥6.533661

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¥5.920094

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¥5.820597

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: CPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SD1980TL
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¥4.892236

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¥3.601229

+100:

¥3.397386

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¥3.387677

+500:

¥2.950872

库存: 0

货期:7~10 天

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2SD1980TL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1.5V 1mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 1000 1A,2V
功率 - 最大值: 10 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: CPT3
温度: 150°C(TJ)