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2SAR513P5T100_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

双极性晶体管

+100:

¥2.375835

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¥1.606638

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¥1.179387

+1000:

¥0.854623

+2000:

¥0.81191

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2SAR513P5T100_null
2SAR513P5T100
授权代理品牌

PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

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¥1.052095

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SAR513P5T100_双极性晶体管
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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

双极性晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SAR513P5T100_双极性晶体管
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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

双极性晶体管

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¥0.837179

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¥0.767409

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¥0.720878

+10000:

¥0.674402

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

双极性晶体管

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¥1.877285

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¥1.763458

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¥1.649764

+25000:

¥1.610011

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SAR513P5T100_双极性晶体管
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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

双极性晶体管

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¥6.360534

+10:

¥5.194435

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¥3.538047

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¥2.653403

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

2SAR513P5T100_双极性晶体管
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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

双极性晶体管

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¥6.360534

+10:

¥5.194435

+100:

¥3.538047

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¥2.653403

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

Mouser
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2SAR513P5T100_晶体管
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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI

晶体管

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¥6.693584

+10:

¥5.518792

+100:

¥3.756603

+500:

¥2.827697

+1000:

¥2.103697

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 400MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SAR513P5T100参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 50mA,2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 400MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C(TJ)