品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C # 200°C (TJ)

Gain： -

Power - Max： 1W

Current - Collector (Ic) (Max)： 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100V

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 150mA, 10V

Frequency - Transition： 150MHz

Noise Figure (dB Typ @ f)： -

Supplier Device Package： TO-39

Part Status： Active

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -65°C # 200°C（TJ）