2N3485A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2N3485A 共 3 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3485A Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.6A TO46 下载数据手册未分类	+100：￥133.042247	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V 功率 - 最大值： 400 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装： TO-46（TO-206AB）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3485A Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.6A TO46 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V 功率 - 最大值： 400 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装： TO-46（TO-206AB）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N3485A Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 60V 0.6A TO46 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V 功率 - 最大值： 400 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装： TO-46（TO-206AB）温度： -65°C # 200°C（TJ）

2N3485A参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Digi-Key 停止提供
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	1.6V 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	40 150mA，10V
功率 - 最大值:	400 mW
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-65°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-206AB，TO-46-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-46（TO-206AB）
温度:	-65°C # 200°C（TJ）