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自营 现货库存
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2SB1698T100_双极性晶体管
2SB1698T100
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

双极性晶体管

+1:

¥1.896428

+200:

¥0.756713

+500:

¥0.731471

+1000:

¥0.718905

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SB1698T100_双极性晶体管
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TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

双极性晶体管

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¥2.669252

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¥2.581736

+3000:

¥2.494219

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SB1698T100_双极性晶体管
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TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

双极性晶体管

+80:

¥3.64297

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¥3.460838

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¥2.914445

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SB1698T100_双极性晶体管
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TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

双极性晶体管

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¥1.24646

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¥1.114283

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¥1.057601

+10000:

¥0.982046

+25000:

¥0.959432

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

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¥3.253256

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¥2.982011

+3000:

¥2.842794

+5000:

¥2.68537

+7000:

¥2.591589

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

双极性晶体管

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¥9.944113

+10:

¥6.654906

+100:

¥4.536046

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

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双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

2SB1698T100_未分类
2SB1698T100
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TRANS PNP 30V 1.5A MPT3

未分类

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货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-243AA

Mounting Type: Surface Mount

Transistor Type: PNP

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition: 280MHz

Supplier Device Package: MPT3

Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V

Power - Max: 2 W

Mouser
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2SB1698T100_晶体管
2SB1698T100
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TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

晶体管

+1000:

¥4.212057

+2000:

¥3.830649

+10000:

¥3.333162

+25000:

¥3.15075

+50000:

¥3.084419

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 280MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SB1698T100_未分类
2SB1698T100
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 30V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

未分类

+117:

¥2.631884

+200:

¥2.620079

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2SB1698T100参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 370mV 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 280MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C(TJ)