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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR586D3FRATL_双极性晶体管
2SCR586D3FRATL
授权代理品牌

2SCR586D3FRA IS A POWER TRANSIST

双极性晶体管

+1:

¥17.068396

+200:

¥6.818616

+500:

¥6.589144

+1000:

¥6.479871

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

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2SCR586D3FRATL_双极性晶体管
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2SCR586D3FRA IS A POWER TRANSIST

双极性晶体管

+2500:

¥11.556469

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

2SCR586D3FRATL_双极性晶体管
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2SCR586D3FRA IS A POWER TRANSIST

双极性晶体管

+1:

¥24.084832

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¥21.648015

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¥17.394917

+500:

¥14.291374

+1000:

¥11.84152

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

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2SCR586D3FRA IS A POWER TRANSIST

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

Mouser
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2SCR586D3FRATL_晶体管
2SCR586D3FRATL
授权代理品牌

2SCR586D3FRA IS A POWER TRANSIST

晶体管

+1:

¥31.010115

+10:

¥24.211106

+100:

¥20.562857

+250:

¥19.733711

+500:

¥17.246269

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,3V

功率 - 最大值: 10 W

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: TO-252

温度: 150°C(TJ)

2SCR586D3FRATL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 100mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 500mA,3V
功率 - 最大值: 10 W
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252
温度: 150°C(TJ)