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2SA2029T2LQ_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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¥0.20125

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¥0.194062

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¥0.186874

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¥0.172497

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¥0.165309

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SA2029T2LQ_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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¥0.272008

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¥0.152823

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¥0.137577

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2SA2029T2LQ_null
2SA2029T2LQ
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

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¥0.180593

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¥0.158997

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SA2029T2LQ_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SA2029T2LQ_未分类
2SA2029T2LQ
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

未分类

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¥0.123949

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SA2029T2LQ
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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¥0.366273

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¥0.243796

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¥0.21254

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¥0.188809

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¥0.187535

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SA2029T2LQ_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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¥0.388512

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¥0.345357

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¥0.32375

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¥0.287066

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¥0.276262

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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¥0.67581

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度: 150°C(TJ)

2SA2029T2LQ_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 0.15A VMT3

双极性晶体管

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¥5.663207

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¥4.225624

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¥1.214394

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

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¥1.214394

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

2SA2029T2LQ参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: 150°C(TJ)