品牌： Sanken

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 6mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 3A，2V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F

温度： 150°C（TJ）

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： Sanken

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 6mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 1000 3A，2V

功率 - 最大值： 30 W

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F

温度： 150°C（TJ）

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -