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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N2222A ST(先科) 授权代理品牌	集电极电流Ic：600mA 额定功率：625mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.112819 +10：￥0.10864 +100：￥0.098608 +500：￥0.093602	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 300MHz 工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-18 温度： 175°C（TJ）
	2N2222A BLUE ROCKET(蓝箭) 授权代理品牌	TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管下载数据手册未分类	+1：￥0.085169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	晶体管类型： NPN 集射极击穿电压(Vceo)： 40V 集电极电流(Ic)： 600mA 功率(Pd)： 625mW 集电极截止电流(Icbo)： 100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 100@150mA,10V 特征频率(fT)： 300MHz 工作温度： +150℃@(Tj)
	2N2222A BLUE ROCKET(蓝箭) 授权代理品牌	TO-92 塑封封装 NPN 半导体三极管下载数据手册未分类	+1：￥0.078101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N2222A ST(先科) 授权代理品牌	三极管(晶体管) 2N2222A TO-92 NPN,Vceo=40V,Ic=600mA,HFE=100-300 下载数据手册双极性晶体管	+20：￥0.262691 +100：￥0.196383 +500：￥0.152339 +1000：￥0.110352 +5000：￥0.099341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 300MHz 工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-18 温度： 175°C（TJ）
	2N2222A ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS NPN 40V 0.6A TO18 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥53.598281 +100：￥40.08609 +500：￥31.078003 +1000：￥22.520278 +5000：￥20.268226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： 300MHz 工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-18 温度： 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N2222A ST(先科) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥0.150004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	2N2222A Multicomp 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥3.667873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N2222A DIOTEC(德欧泰克) 授权代理品牌	TRANS NPN 40V 0.6A TO92 下载数据手册未分类	+4000：￥0.361008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diotec Semiconductor 包装： Strip 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA, 500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA (ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA, 10V 功率 - 最大值： 625 mW 频率 - 跃迁： 250MHz 工作温度： -65°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供应商器件封装： TO-92 温度： -65°C # 150°C (TJ)
	2N2222A Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.8A TO18 下载数据手册未分类	+25：￥32.058563 +100：￥30.496676 +250：￥29.296101 +1000：￥27.522277	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-18 温度： -65°C # 200°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N2222A Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.8A TO18 下载数据手册双极性晶体管	+500：￥2.103554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V 功率 - 最大值： 500 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装： TO-18 温度： -65°C # 200°C（TJ）

2N2222A参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	800 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	1V 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 150mA，10V
功率 - 最大值:	500 mW
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-65°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-18
温度:	-65°C # 200°C（TJ）