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2N3439 PBFREE_双极性晶体管
2N3439 PBFREE
授权代理品牌

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

双极性晶体管

+500:

¥10.360281

+1000:

¥10.176913

+1500:

¥9.993545

+2000:

¥9.810177

+2500:

¥9.718493

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N3439 PBFREE_双极性晶体管
2N3439 PBFREE
授权代理品牌

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

双极性晶体管

+1:

¥12.867679

+40:

¥12.639933

+150:

¥12.412185

+400:

¥12.184438

+1500:

¥12.070566

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N3439 PBFREE_双极性晶体管
2N3439 PBFREE
授权代理品牌

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

双极性晶体管

+2500:

¥11.36303

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N3439 PBFREE_双极性晶体管
2N3439 PBFREE
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THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

双极性晶体管

+150:

¥13.848899

+400:

¥13.415369

+1500:

¥12.575164

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

自营 国内现货
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2N3439 PBFREE_双极性晶体管
授权代理品牌

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

双极性晶体管

+1000:

¥8.704291

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Digi-Key
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2N3439 PBFREE_双极性晶体管
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THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

双极性晶体管

+1000:

¥15.040985

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

Mouser
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2N3439 PBFREE_未分类
2N3439 PBFREE
授权代理品牌

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

未分类

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¥39.272761

+10:

¥35.313814

+25:

¥33.25516

+100:

¥28.346066

+500:

¥23.120256

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 15MHz

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐

供应商器件封装: TO-39

温度: -65°C # 200°C(TJ)

艾睿
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2N3439 PBFREE_未分类
2N3439 PBFREE
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 350V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box

未分类

+500:

¥15.206318

+1000:

¥14.581537

+2500:

¥14.109447

+5000:

¥13.799858

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2N3439 PBFREE参数规格

属性 参数值
品牌: Central Semiconductor Corp
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 350 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 20µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 2mA,10V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 15MHz
工作温度: -65°C # 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-205AD,TO-39-3 金属罐
供应商器件封装: TO-39
温度: -65°C # 200°C(TJ)