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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4033 Solid State 授权代理品牌	TRANS PNP TO39 下载数据手册未分类	+1：￥10.916343 +200：￥4.359981 +500：￥4.206999 +1000：￥4.141435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type： Through Hole Transistor Type： PNP Operating Temperature： - Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： - Current - Collector Cutoff (Max)： - DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： - Frequency - Transition： - Supplier Device Package： TO-39 Part Status： Active
	2N4033 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO39 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥147.911527 +200：￥59.018185 +500：￥57.051277 +1000：￥56.07875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -55°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -55°C # 200°C（TJ）
	2N4033 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥15.199833 +200：￥6.064635 +500：￥5.867944 +1000：￥5.769599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4033 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO-39 下载数据手册双极性晶体管	+107：￥58.366003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： -55°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -55°C # 200°C（TJ）
	2N4033 ON(安森美) 授权代理品牌	PNP SS GP AMP TRANSISTOR 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 75 100µA，5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39 温度： -
	2N4033 ST(意法半导体) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO-39 下载数据手册双极性晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 100mA，5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： 500MHz 工作温度： 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39 温度： 175°C（TJ）
	2N4033 Solid State 授权代理品牌	BI-POLAR SILICON TRANSISTOR PNP 下载数据手册未分类	+10：￥3.425235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type： Through Hole Transistor Type： PNP Operating Temperature： - Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： - Current - Collector Cutoff (Max)： - DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： - Frequency - Transition： - Supplier Device Package： TO-39 Part Status： Active
	2N4033 NTE Electronics, Inc 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO39 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.576451 +10：￥6.247628 +20：￥5.918806 +50：￥5.589984 +100：￥5.452974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： NTE Electronics, Inc 包装： Bag 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 100mA, 1A 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 75 100µA, 5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供应商器件封装： TO-39 温度： -
	2N4033 ON(安森美) 授权代理品牌	DIE TRANS PNP SM SIGN GEN PURP 下载数据手册双极性晶体管	+25：￥30.318071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 75 100µA，5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4033 NTE Electronics, Inc 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO39 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥11.364085 +10：￥10.795882 +20：￥10.227677 +50：￥9.659473 +100：￥9.42272	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： NTE Electronics, Inc 包装： Bag 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 100mA, 1A 电流 - 集电极截止（最大值）： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 75 100µA, 5V 功率 - 最大值： 800 mW 频率 - 跃迁： - 工作温度： - 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供应商器件封装： TO-39 温度： -

2N4033参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	1V 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）:	10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 100mA，5V
功率 - 最大值:	800 mW
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-55°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-39（TO-205AD）
温度:	-55°C # 200°C（TJ）