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	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥1.04106 +10：￥1.002509 +100：￥0.909968 +500：￥0.863698	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

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	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) 2SC5824T100R SOT-89(SC-62) 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥1.724688 +500：￥1.14984 +1000：￥0.958176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

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	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.735196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

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	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥0.851897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）
	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥1.348402 +50：￥0.93594 +500：￥0.805013 +1000：￥0.700132 +10000：￥0.695154	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）
	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥1.202173 +3000：￥1.152844 +5000：￥1.133211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）
	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥4.650398 +500：￥3.65008 +1000：￥2.809406 +2000：￥2.564603 +5000：￥2.394406	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）
	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.196533 +50：￥1.09475 +1000：￥0.951766 +20000：￥0.948492 +30000：￥0.938183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）
	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥1.135983 +2000：￥1.107241 +3000：￥1.088201 +4000：￥1.088201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2SC5824T100R Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 60V 3A MPT3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥1.846433 +2000：￥1.683517 +5000：￥1.574881 +10000：￥1.466246 +25000：￥1.390239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： MPT3 温度： 150°C（TJ）

2SC5824T100R参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	180 100mA，2V
功率 - 最大值:	2 W
频率 - 跃迁:	200MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-243AA
供应商器件封装:	MPT3
温度:	150°C（TJ）