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	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.205 +10：￥1.5435 +100：￥1.1025 +8000：￥0.159863 +100000000：￥0.11025	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

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	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) 2SCR523MT2L SOT-89(SC-62) 下载数据手册双极性晶体管	+20：￥0.852929 +100：￥0.577049 +1000：￥0.192995 +8000：￥0.119669 +16000：￥0.113619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册双极性晶体管	+20：￥0.174134 +200：￥0.154677 +600：￥0.143867 +2000：￥0.137382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

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	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.142296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

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	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册未分类	+50：￥0.123317 +500：￥0.105611 +1500：￥0.092436 +5000：￥0.07789 +25000：￥0.073991	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）
	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册未分类	+1：￥0.21786 +150：￥0.141657 +1000：￥0.116993 +4000：￥0.105505 +8000：￥0.095071	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）
	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册双极性晶体管	+83：￥0.016902 +1000：￥0.01447 +3000：￥0.012618 +10000：￥0.01065 +50000：￥0.010072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）
	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.634148 +500：￥0.211383 +4000：￥0.141346 +8000：￥0.100714 +48000：￥0.100019	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册	+1：￥2.592346 +100：￥1.415405 +1000：￥0.866246 +4000：￥0.550022 +8000：￥0.398304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SCR523MT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN 50V 0.1A VMT3 下载数据手册双极性晶体管	+8000：￥0.321866 +16000：￥0.273575 +24000：￥0.257516 +56000：￥0.2414 +200000：￥0.227735	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 1mA，6V 功率 - 最大值： 150 mW 频率 - 跃迁： 350MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度： 150°C（TJ）

2SCR523MT2L参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	120 1mA，6V
功率 - 最大值:	150 mW
频率 - 跃迁:	350MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-723
供应商器件封装:	VMT3
温度:	150°C（TJ）