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2SB1198KT146R_双极性晶体管
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TRANS PNP 80V 0.5A SOT-346

双极性晶体管

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¥0.420461

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¥0.404894

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¥0.35817

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¥0.348831

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

温度: 150°C(TJ)

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TRANS PNP 80V 0.5A SOT-346

双极性晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

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零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SMT3

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2SB1198KT146R
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晶体管类型: PNP

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电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 200 mW

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安装类型: 表面贴装型

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零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

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安装类型: 表面贴装型

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

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频率 - 跃迁: 180MHz

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

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功率 - 最大值: 200 mW

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

功率 - 最大值: 200 mW

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

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电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V

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工作温度: 150°C(TJ)

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V

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功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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2SB1198KT146R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 100mA,3V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3
温度: 150°C(TJ)