晶体管类型： NPN

集射极击穿电压(Vceo)： 400V

集电极电流(Ic)： 15A

功率(Pd)： 175W

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 1.5V@15A,3A

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 8@15A,3V

特征频率(fT)： 3MHz

工作温度： +150℃@(Tj)

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-204AA, TO-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： -

Current - Collector Cutoff (Max)： -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： -

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-3

Part Status： Active

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -