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2N3905_null
2N3905
授权代理品牌

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

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¥0.678764

+50:

¥0.64054

+100:

¥0.624903

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA, 1V

功率 - 最大值: 625 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92

温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

2N3905_双极性晶体管
授权代理品牌
+25:

¥0.678764

+50:

¥0.64054

+100:

¥0.624903

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: NTE Electronics, Inc

包装: Bag

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA, 1V

功率 - 最大值: 625 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N3905_双极性晶体管
授权代理品牌
+25:

¥1.660436

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+100:

¥1.528678

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: NTE Electronics, Inc

包装: Bag

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA, 1V

功率 - 最大值: 625 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92

温度: -55°C # 150°C (TJ)

2N3905_未分类 

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

未分类 

+4808:

¥0.850053

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA, 1V

功率 - 最大值: 625 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装: TO-92

温度: -55°C # 150°C (TJ)

2N3905参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 50 10mA, 1V
功率 - 最大值: 625 mW
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装: TO-92
温度: -55°C ~ 150°C (TJ)