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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC2712-GR,LF_双极性晶体管
2SC2712-GR,LF
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

双极性晶体管

+1:

¥0.193938

+200:

¥0.077383

+500:

¥0.074798

+1000:

¥0.073519

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

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2SC2712-GR,LF_双极性晶体管
2SC2712-GR,LF
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

双极性晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

自营 国内现货
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2SC2712-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

双极性晶体管

+3000:

¥0.241427

+6000:

¥0.223977

+9000:

¥0.185757

+30000:

¥0.182441

+75000:

¥0.163908

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
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2SC2712-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

双极性晶体管

+3000:

¥0.417186

+6000:

¥0.38703

+9000:

¥0.320989

+30000:

¥0.315257

+75000:

¥0.283232

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

2SC2712-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

双极性晶体管

+1:

¥2.492143

+10:

¥1.707119

+100:

¥0.831131

+500:

¥0.692818

+1000:

¥0.481358

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

2SC2712-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

双极性晶体管

+1:

¥2.492143

+10:

¥1.707119

+100:

¥0.831131

+500:

¥0.692818

+1000:

¥0.481358

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

Mouser
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2SC2712-GR,LF_未分类
2SC2712-GR,LF
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A SMINI

未分类

+1:

¥3.168571

+10:

¥2.170472

+100:

¥0.887201

+1000:

¥0.617873

+3000:

¥0.491128

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 125°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC2712-GR,LF_未分类
2SC2712-GR,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R

未分类

+3000:

¥0.477842

+9000:

¥0.389818

+45000:

¥0.34738

+99000:

¥0.28922

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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2SC2712-GR,LF_未分类
2SC2712-GR,LF
授权代理品牌

Bipolar Transistors - BJT TRANS SMP (LF) 150MW

未分类

+3000:

¥0.290155

+6000:

¥0.284485

+9000:

¥0.242899

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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2SC2712-GR,LF_未分类
2SC2712-GR,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R

未分类

+3000:

¥0.278353

+9000:

¥0.22691

+45000:

¥0.203023

+99000:

¥0.168116

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2SC2712-GR,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 2mA,6V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: 80MHz
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: 125°C(TJ)