锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 2SC6100,LF5 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6100,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC2.5A HF

双极性晶体管

+3000:

¥1.025666

+6000:

¥0.943865

+15000:

¥0.849478

+30000:

¥0.836893

+75000:

¥0.786554

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 140mV 20mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 300mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

供应商器件封装: UFM

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6100,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC2.5A HF

双极性晶体管

+3000:

¥1.772347

+6000:

¥1.630996

+15000:

¥1.467895

+30000:

¥1.446149

+75000:

¥1.359163

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 140mV 20mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 300mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

供应商器件封装: UFM

温度: 150°C(TJ)

2SC6100,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC2.5A HF

双极性晶体管

+1:

¥6.301572

+10:

¥5.115394

+25:

¥4.675519

+100:

¥2.935792

+250:

¥2.903172

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: UFM

2SC6100,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC2.5A HF

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: UFM

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC6100,LF_晶体管
2SC6100,LF
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC2.5A HF

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 140mV 20mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 300mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

供应商器件封装: UFM

温度: 150°C(TJ)

2SC6100,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 140mV 20mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 400 300mA,2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
供应商器件封装: UFM
温度: 150°C(TJ)