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2SD1834T100_双极性晶体管
2SD1834T100
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3

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双极性晶体管
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￥3.487968

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￥2.964816

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￥2.44152

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￥2.005632

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￥1.743984

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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2SD1834T100_双极性晶体管
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Rohm Semiconductor(罗姆)
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双极性晶体管
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￥1.050547

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￥0.964441

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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2SD1834T100_未分类
2SD1834T100
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￥1.406972

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￥1.376196

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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2SD1834T100
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3
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￥4.827168

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￥2.413498

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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双极性晶体管
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￥2.012372

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￥1.697959

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￥1.572136

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￥1.556589

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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双极性晶体管
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货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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双极性晶体管
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￥8.224074

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￥7.077689

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￥4.89831

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￥4.093346

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-243AA

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双极性晶体管
+1：

￥8.224074

+10：

￥7.077689

+100：

￥4.89831

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￥4.093346

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系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

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￥10.297856

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￥5.196458

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￥3.9924

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货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.5V 500µA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，3V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 150MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-243AA

供应商器件封装： MPT3

温度： 150°C（TJ）

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ROHM(罗姆)
授权代理品牌

Trans Darlington NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

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￥5.928193

+50：

￥2.896142

+100：

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￥2.632368

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2SD1834T100参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
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零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.5V 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 2000 500mA，3V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C（TJ）