锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 2SCR502UBTL9 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

双极性晶体管

+300:

¥0.423936

+1500:

¥0.359712

+3000:

¥0.235008

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_null
2SCR502UBTL
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

+1:

¥0.470793

+10:

¥0.393561

+30:

¥0.354945

+100:

¥0.325983

+500:

¥0.302813

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

双极性晶体管

+1:

¥0.320166

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_null
2SCR502UBTL
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

+1:

¥1.519344

+100:

¥0.829584

+1500:

¥0.507744

+3000:

¥0.367632

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

双极性晶体管

+3000:

¥0.358742

+6000:

¥0.311927

+15000:

¥0.265111

+30000:

¥0.249528

+75000:

¥0.233945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

双极性晶体管

+3000:

¥0.619906

+6000:

¥0.539008

+15000:

¥0.458111

+30000:

¥0.431184

+75000:

¥0.404256

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

2SCR502UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

双极性晶体管

+1:

¥3.467032

+10:

¥2.819852

+100:

¥1.493135

+500:

¥0.982096

+1000:

¥0.667751

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

2SCR502UBTL_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

双极性晶体管

+1:

¥3.467032

+10:

¥2.819852

+100:

¥1.493135

+500:

¥0.982096

+1000:

¥0.667751

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SCR502UBTL_晶体管
2SCR502UBTL
授权代理品牌

TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F

晶体管

+1:

¥4.10767

+10:

¥3.325888

+100:

¥1.762323

+500:

¥1.166048

+1000:

¥0.795033

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA

电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 360MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-85

供应商器件封装: UMT3F

温度: 150°C(TJ)

2SCR502UBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,200mA
电流 - 集电极截止(最大值): 200nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,2V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 360MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
温度: 150°C(TJ)