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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA2215,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A

双极性晶体管

+3000:

¥0.96739

+6000:

¥0.890236

+15000:

¥0.801212

+30000:

¥0.789342

+75000:

¥0.741863

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 53mA,1.6A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

供应商器件封装: UFM

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA2215,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A

双极性晶体管

+3000:

¥1.671646

+6000:

¥1.538324

+15000:

¥1.384493

+30000:

¥1.363981

+75000:

¥1.281937

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 53mA,1.6A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

供应商器件封装: UFM

温度: 150°C(TJ)

2SA2215,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A

双极性晶体管

+1:

¥5.930891

+10:

¥4.81885

+25:

¥4.40863

+100:

¥2.768984

+250:

¥2.738095

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: UFM

2SA2215,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: UFM

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA2215,LF_未分类
2SA2215,LF
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-20V IC-2.5A

未分类

+1:

¥6.890285

+10:

¥5.604981

+100:

¥3.816158

+500:

¥2.862118

+1000:

¥2.15984

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 53mA,1.6A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: -

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-SMD,扁平引线

供应商器件封装: UFM

温度: 150°C(TJ)

2SA2215,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 53mA,1.6A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
供应商器件封装: UFM
温度: 150°C(TJ)