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2SAR502UBTL_双极性晶体管
2SAR502UBTL
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F

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双极性晶体管
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￥0.803232

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￥0.682704

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￥0.56232

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￥0.461808

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￥0.401616

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

自营 现货库存
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2SAR502UBTL_未分类
2SAR502UBTL
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F

未分类
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￥0.260004

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￥0.182124

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￥0.162656

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

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2SAR502UBTL_双极性晶体管
2SAR502UBTL
Rohm Semiconductor(罗姆)
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双极性晶体管
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国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

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2SAR502UBTL_双极性晶体管
2SAR502UBTL
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TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F

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双极性晶体管
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￥0.169571

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品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

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2SAR502UBTL
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TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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双极性晶体管
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￥0.372913

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￥0.324248

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￥0.275583

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￥0.259385

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

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双极性晶体管
+3000：

￥0.644393

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￥0.560299

+15000：

￥0.476207

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￥0.448217

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￥0.420226

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品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

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双极性晶体管
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￥3.603984

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￥2.93124

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￥1.552117

+500：

￥1.02089

+1000：

￥0.694128

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-85

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双极性晶体管
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￥3.603984

+10：

￥2.93124

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￥1.552117

+500：

￥1.02089

+1000：

￥0.694128

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SAR502UBTL_未分类
2SAR502UBTL
Rohm Semiconductor(罗姆)
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F

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￥4.898187

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￥3.965952

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￥2.101481

+500：

￥1.390454

+1000：

￥0.948037

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 10mA，200mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 200nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 200 100mA，2V

功率 - 最大值： 200 mW

频率 - 跃迁： 520MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-85

供应商器件封装： UMT3F

温度： 150°C（TJ）

2SAR502UBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 400mV 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 200nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 100mA，2V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 520MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-85
供应商器件封装: UMT3F
温度: 150°C（TJ）