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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SAR562F3TR_未分类
2SAR562F3TR
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3

未分类

+56:

¥4.646937

+100:

¥3.694235

+500:

¥3.324811

+1000:

¥3.159547

+2000:

¥3.035913

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 150mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HUML2020L3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2SAR562F3TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3

双极性晶体管

+3000:

¥4.053862

+6000:

¥3.956261

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 150mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HUML2020L3

温度: 150°C(TJ)

2SAR562F3TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3

双极性晶体管

+1:

¥10.452793

+10:

¥9.225197

+100:

¥7.073867

+500:

¥5.591515

+1000:

¥4.473188

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: HUML2020L3

2SAR562F3TR_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3

双极性晶体管

+1:

¥10.452793

+10:

¥9.225197

+100:

¥7.073867

+500:

¥5.591515

+1000:

¥4.473188

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 3-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: HUML2020L3

Mouser
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2SAR562F3TR_未分类
2SAR562F3TR
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 6A HUML2020L3

未分类

+1:

¥11.846058

+10:

¥10.468609

+100:

¥8.01675

+500:

¥6.350037

+1000:

¥5.069011

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 150mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: HUML2020L3

温度: 150°C(TJ)

2SAR562F3TR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 150mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 500mA,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 3-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: HUML2020L3
温度: 150°C(TJ)